1. 반도체의 정의와 분류 [0]

thumbnail 반도체는 도체와 부도체의 중간 성질을 가진 물질로, 불순물 첨가를 통해 전기적 특성을 조절하여 스위치 역할을 하는 트랜지스터를 만드는 데 사용된다.

1.1. 반도체의 정의와 용어 [0]

  1. 반도체는 물질 자체를 의미한다 [13]
    • 좁은 의미로는 도체(전기가 통하는 물질)와 부도체(전기가 통하지 않는 물질)의 중간적인 성질을 가진 물질을 의미한다. [14]
    • 예시로 전선은 구리 도선과 절연체인 피복(부도체)으로 구성된다. [16]
  2. 일상에서는 더 넓은 의미로 사용된다 [19]
    • 도체, 반도체, 부도체의 조합으로 특정 목적을 위해 제작된 칩이나 회로를 반도체 제품이라고 부른다. [20]
    • 우리가 흔히 관심을 가지는 것은 이러한 제품 형태의 반도체이다. [21]

1.2. 반도체 제품의 분류 [22]

  1. 크게 시스템 반도체와 메모리 반도체로 나뉜다 [22]
    • 우리나라는 메모리 반도체 강국이며, 시스템 반도체는 다양한 제품군을 포함하여 '비메모리 반도체'라고도 불린다. [23]
  2. 시스템 반도체 (정보 처리) [24]
    • 정보를 처리하는 역할을 담당한다. [25]
    • 다양한 제품군이 존재한다: [26]
      • 에이직(ASIC): 특정 목적의 특정 연산을 위해 만들어진 반도체이다. [26]
      • SOC (System On Chip): 다양한 기능을 하나의 칩에 모아 놓은 것으로, 휴대폰의 AP(애플리케이션 프로세서)가 대표적이다. [27]
      • LSI: 집적도가 높은 칩을 의미한다. [28]
    • 메모리 반도체에 비해 집적도, 기능, 성능 면에서 다양하며, 시장 점유율이 높지만 파편화된 시장을 형성한다. [30]
  3. 메모리 반도체 (정보 저장) [32]
    • 처리된 정보를 저장하는 역할을 담당한다. [32]
    • 크게 ROM(Read Only Memory)과 RAM(Random Access Memory)으로 나뉜다. [33]
      • 흔히 '메모리'라고 하면 RAM, 특히 DRAM을 지칭한다. [35]
      • DRAM은 중앙 처리 장치와 직접 정보를 주고받으며 컴퓨팅을 수행한다. [36]
      • ROM은 주로 정보를 읽어내는 데 사용되며, 정보를 언제 저장하는지에 따라 의미가 달라진다. [37]
    • DRAM과 랜드 플래시 메모리가 시장을 주도하며, 항상 최고의 성능과 집적도를 가진 제품이 사용된다. [39]

2. 반도체 시장 현황과 제조 과정 [42]

thumbnail 반도체 시장은 국가별 점유율이 다양하며, 제조 과정은 웨이퍼 제작부터 전공정, 후공정까지 여러 단계를 거친다.

2.1. 국가별 시장 점유율 [42]

  1. 칩 제조 및 1차 소유권 기준 점유율 [44]
    • 미국이 약 절반을 차지하며, 한국이 약 20%, 대만, 유럽, 일본 순이다. [43]
    • 이는 TSMC와 같이 칩을 제조해 주는 회사가 아닌, 칩의 주인 회사(예: 대만의 미디어텍, 미국의 애플, 퀄컴)의 시장 점유율을 나타낸다. [45]
    • 한국의 20%는 삼성, SK 하이닉스와 같이 칩을 직접 만들고 판매하는 회사의 점유율이다. [48]

2.2. 반도체 시장의 주요 분야 [52]

  1. 전체 시장은 약 25%가 메모리 시장이다 [52]
    • 한국은 메모리 시장의 70%를 점유하고 있으며, DRAM이 주요 플레이어이다. [53]
  2. 파운드리 시장 [55]
    • 설계 회사의 설계에 맞춰 칩을 제조해 주는 시장이다. [55]
    • 대만 TSMC가 약 60%, 한국 삼성이 약 15%를 점유하고 있다. [56]
    • 파운드리 시장은 전체 시장의 약 1/4을 차지한다. [57]
  3. CPU 시장 [58]
    • 인텔과 같은 CPU 회사가 점유하고 있으며, 점차 줄어드는 추세이다. [58]
  4. 설계 회사 시장 [59]
    • 나머지 1/4을 설계 회사들이 점유하고 있다. [59]
  5. 전반적인 추세 [59]
    • CPU 시장은 줄고 메모리 시장이 커지는 추세이다. [59]

2.3. 반도체 제조 과정 [60]

  1. 물질적 측면: 실리콘 웨이퍼 [60]
    • 반도체의 주재료는 실리콘이며, 실리콘 원자로 이루어진 격자 구조를 가진다. [61]
    • 실리콘은 주기율표 4족 원소로, 각 원자는 4개의 전자를 가진다. [82]
    • 실리콘 원자들이 규칙적으로 배열된 것을 결정이라고 하며, 이를 크게 만든 것이 실리콘 단결정 웨이퍼이다. [84]
    • 웨이퍼 제작 과정: [86]
      • 실리콘 잉곳 성장: 고온(1400도 이상)으로 녹인 실리콘에 단결정 씨앗을 담가 천천히 끌어올려 성장시킨다. [87]
      • 직경 300mm 웨이퍼의 경우, 직경 30cm 이상, 길이 2m에 달하는 단결정을 만든다. [90]
      • 원자 간 간격은 약 0.5nm(10의 -9승 미터)로, 상상할 수 없을 정도로 많은 원자가 배열되어 있다. [92]
      • 결함 없이 단결정을 만드는 것은 고도의 기술이며, 한국의 실트론 같은 회사에서 생산한다. [96]
    • 웨이퍼 가공: [98]
      • 잉곳을 잘라 슬라이싱하고 표면을 연마하여 웨이퍼를 만든다. [98]
      • 웨이퍼는 매우 평탄하며, 서울시 면적에 콩알 하나 튄 정도의 평탄도를 가진다. [100]
      • 웨이퍼 위에 여러 공정을 통해 회로 패턴을 새기면 소자가 만들어진다. [102]
    • 칩 제작: 웨이퍼 상의 소자를 잘라 외부와 연결할 수 있도록 발을 달면 칩이 된다. [103]
  2. 소부장 (소재, 부품, 장비) [104]
    • 실리콘 웨이퍼는 소재에 해당한다. [105]
    • 웨이퍼를 가공하는 장비는 소부장 중 장비에 해당한다. [106]
    • 반도체 공장은 이러한 장비들을 집적하여 만든 대규모 시설이다. [106]
  3. 공정 단계 [108]
    • 전공정: 웨이퍼 상에 회로를 새기는 공정이다. [108]
    • 후공정: 전공정이 끝난 웨이퍼를 칩 단위로 잘라 패키지 안에 넣고 밀봉하는 공정이다. [109]
      • 회로가 공기 중 산소, 수분과 만나 손상되는 것을 방지하고, 기판에 장착하기 용이하게 한다. [111]

3. 반도체의 물리적 원리와 동작 [135]

thumbnail 반도체는 양자 역학의 밴드 이론으로 설명되며, 도체와 부도체의 중간 에너지 갭을 가진다. 불순물(도핑)을 첨가하여 전기가 통하게 만드는 n형과 p형 반도체를 만들 수 있다.

3.1. 밴드 이론과 반도체의 전기적 특성 [135]

  1. 고체 물리적 설명: 밴드 이론 [135]
    • 반도체의 동작 원리는 양자 역학에 기반하며, 특히 고체 물질에 적용된 이론이다. [136]
    • 물질은 에너지 밴드 구조에 따라 도체, 부도체, 반도체로 구분된다. [137]
  2. 에너지 밴드 [138]
    • 고체 내 전자들은 동일한 에너지를 가지지 않고, 에너지 준위에 따라 밴드를 형성한다. [139]
    • 가전자대(Valence Band): 전자가 꽉 차 있는 에너지 밴드이다. [140]
    • 전도대(Conduction Band): 전자가 들어갈 수 있는 빈 밴드이다. [140]
    • 도체: 가전자대와 전도대가 겹쳐 있어 전자가 자유롭게 움직일 수 있다. [141]
    • 부도체: 가전자대와 전도대 사이의 에너지 갭이 매우 커서 전자가 이동하기 어렵다. [142]
    • 반도체: 가전자대와 전도대 사이의 에너지 갭이 적당하여 특정 조건에서 전자가 이동할 수 있다. [143]
  3. 반도체의 전기적 특성 [144]
    • 순수한 반도체는 전기가 잘 통하지 않는다. [160]
    • 전자가 움직이려면 빈자리(전도대)가 필요하지만, 가전자대는 꽉 차 있어 전자가 움직이기 어렵다 (만원 버스 비유). [145]
    • 반도체의 에너지 갭은 약 1.1eV로, 상온 열에너지(약 25meV)로는 전자가 전도대로 올라가기 어렵다. [155]
    • 전기가 통하게 하려면 불순물을 첨가하여 전자가 이동할 수 있는 환경을 만들어야 한다. [161]

3.2. 도핑: n형 및 p형 반도체 생성 [162]

  1. 도핑의 원리 [162]
    • 순수한 반도체에 불순물을 첨가하여 전기적 특성을 변화시키는 과정이다. [162]
  2. n형 반도체 (전자 과잉) [163]
    • 실리콘(4가)에 전자 5개를 가진 물질(예: 인, 포스포러스)을 첨가하면 전자가 하나 남는다. [163]
    • 이 남는 전자는 쉽게 움직일 수 있어 전류를 흐르게 한다. [166]
    • 불순물 첨가 시 에너지 밴드 구조 내에 전자가 존재할 수 있는 상태가 만들어지며, 이 에너지 간격은 매우 작아 상온 열에너지로도 쉽게 넘어갈 수 있다. [169]
    • 여분의 전자가 전도대로 쉽게 올라가 움직이는 것을 n 타입 도핑이라고 한다. [171]
  3. p형 반도체 (전자 부족, 정공) [173]
    • 실리콘(4가)에 전자 3개를 가진 물질(예: 붕소)을 첨가하면 전자가 부족한 빈자리가 생긴다. [174]
    • 이 빈자리로 주변 전자가 이동할 수 있으며, 이 빈자리를 정공(Hole)이라고 한다. [177]
    • 정공은 양의 전하를 띠며, 전자가 움직이는 것처럼 보이게 한다. [179]
    • 전자가 부족한 물질을 도핑하면 p 타입 반도체가 된다. [179]
  4. 반도체의 흥미로운 점 [181]
    • 전기가 통하지 않는 물질에 불순물을 넣어 전기를 통하게 할 수 있다. [182]
    • 전기를 통하게 하는 매체가 전자(음의 전하)일 수도 있고, 정공(양의 전하)일 수도 있다. [182]
    • 정공의 실체: 가전자대 내에서는 전자가 아닌 정공이 실체이며, 양의 질량을 가지고 움직이는 방향이 전자와 반대이다. [191]
    • 전하를 나르는 매개체(캐리어)가 전자(N 타입)와 정공(P 타입) 두 가지 타입이 존재한다는 점이 중요하다. [197]
    • 이러한 특성 덕분에 효율적인 회로 구성이 가능해져 실리콘 반도체가 정보 처리 소자의 핵심이 되었다. [198]

3.3. 반도체 소자의 기본: 다이오드와 트랜지스터 [199]

  1. 기본 회로 구성 요소 [199]
    • 반도체 회로에는 저항, 인덕터, 커패시터 등 다양한 부품이 사용된다. [199]
    • 반도체 칩 안에는 이러한 부품들이 매우 작게 집적되어 있다. [200]
  2. 다이오드 (Diode) [203]
    • 전류가 한쪽 방향으로만 잘 흐르고 반대쪽으로는 잘 흐르지 않게 하는 소자이다. [204]
    • 이러한 기능을 정류(Rectification)라고 한다. [205]
    • 양의 전압을 가하면 전류가 잘 흐르고, 음의 전압을 가하면 전류가 잘 흐르지 않는 특성을 가진다. [207]
  3. 트랜지스터 (MOSFET) [208]
    • 다이오드를 조합하여 트랜지스터를 만들 수 있다. [208]
    • MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor): 금속(Metal), 산화막(Oxide, 부도체), 반도체(Semiconductor)로 구성된다. [211]
    • 동작 원리: [217]
      • 게이트에 전압을 가하면 절연체(산화막)를 통해 채널 표면에 전개가 유도되어 전류가 흐르는 통로(채널)가 만들어진다. [217]
      • 소스(근원)에서 드레인(빠져나가는 곳)으로 전류가 흐르게 된다. [220]
      • 게이트 전압을 가하면 채널이 생성되어 스위치 온, 제거하면 스위치 오프 상태가 된다. [221]
    • N형 MOS와 P형 MOS: [225]
      • N형 MOS: 전자(N 타입)가 채널을 형성한다. [248]
      • P형 MOS: 정공(P 타입)이 채널을 형성한다. [251]
    • 이 두 가지 트랜지스터를 조합하여 복잡한 논리 연산을 수행하는 회로를 만들 수 있다. [223]

3.4. 반도체의 미래와 AI 칩 [253]

  1. 논리 연산 및 저장 기능 통합 [253]
    • 트랜지스터를 조합하여 논리 연산 소자를 만들고, 이를 저장하는 메모리 소자와 결합한다. [253]
  2. AI 칩의 등장 [254]
    • 연산과 저장 기능을 하나의 칩에 합친 AI 칩이 등장할 것으로 예상된다. [254]
    • 이는 ChatGPT와 같은 AI를 구동시킬 수 있는 차세대 반도체이다. [255]
  3. 미래 반도체의 기능 [255]
    • 외부 신호를 받아들이는 센서, 정보를 처리하는 프로세서, 결과를 저장하는 메모리 기능이 결합될 것이다. [255]
    • 이러한 기능들이 미래 반도체의 핵심이 될 것이다. [256]